实时焦点：6万片/年！又一SiCIDM项目将试产

6月21日，据台湾媒体报道，台亚半导体正在以IDM模式进军第三代半导体产业，今年一季度已试产氮化镓，明年试产碳化硅，合计年产能约10万片。

(资料图)

据台亚半导体宣布，他们将在中国台湾铜锣扩建6吋碳化硅晶圆厂和8吋、12吋氮化镓晶圆厂，以及后段的测试、封装厂。

目前台亚铜锣新厂的投资规模尚未公布，但预估仅土建部分的投资将达数十亿台币（10亿台币约为2.3亿人民币），建厂用地达4公顷，预计在2026年初建成并投入生产。

碳化硅方面，台亚将以子公司积亚半导体为切入点——加强SiC外延及SiCMOSFET的生产制造，预计在2023年第四季前完成6吋碳化硅月产能3000片的建设，2024年第一季试产，后续产能将提升至每月5000片。

2021年12月，台亚半导体投资近6900万人民币，成立全资子公司积亚半导体，而积亚于2022年2月、4月对外透露了2次SiC投资信息：

●2022年2月，积亚半导体拟投资30亿元新台币（约6.8亿人民币）用于建设碳化硅等项目，将专注于生产碳化硅SBD、碳化硅MOSFET。

●2022年8月，积亚半导体宣布将投资额增加到45亿新台币（约10.2亿人民币），以扩大SiC功率器件产能。

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在氮化镓（GaN-on-Si）方面，台亚计划厂房建置初期以6吋晶圆为主，充分利用现有6吋生产设备，并增置关键MOCVD设备；8吋产线将在2023年底完成建设，目前设备型号已经敲定（采用台湾本土设备比率达40％）。

台亚总经理衣冠君表示，该氮化镓厂将是全球少见的先进功率器件厂，预计在2024年底之前达成每月3000片的出货量，产品将聚焦于快充、电动汽车、无人机等应用。

近期，台亚已完成第一颗650V D-mode HEMT的开发，并进行送样验证。他们预期在少量代工单生产之下，氮化镓有望在今年开始贡献营收。衣冠君认为，明年公司氮化镓营收提升至30％的目标有望达成。

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